1）純度：99.9999%;

2）檢測：GDMS(所有雜質(zhì)元素總和低于1ppm);

3）晶向：<110>

4）原理：當激光光子的能量大于或等于基片半導體能隙時，半導體表面就會產(chǎn)生大量的瞬生自由載流子，由于自由電子的遷移率一般要遠高于空穴的遷移率，因此僅考慮自由電子

的貢獻而忽略空穴的影響。最后在電場的共同作用下，這些自由載流子會在碲化鋅晶體材料的表面加速運動從而形成瞬變的光電流，由此向外輻射出太赫茲脈沖；

5）應用：由于 ZnTe 是一種具有良好位相匹配特性和較好電光性質(zhì)的晶體,目前已成為

最常用的產(chǎn)生和探測 THz 輻射的電光材料; 在以往的研究中通常采用兩塊ZnTe 晶體一塊作為THz場發(fā)射源，另一塊用于探測THz輻射場分布,這樣得到的THz 場分布較寬,反映在THz 譜上頻譜較窄；

6）市場前景：隨著 ZnTe 晶體在 THz 輻射和探測方面的廣泛應用 ZnTe 晶體成為最主要的THz輻射產(chǎn)生和探測的半導體材料,正因為 THz時域光譜,成像等領(lǐng)域有著巨大的應用前景, ZnTe晶體成為THz輻射領(lǐng)域里人們研究最多的電光晶體。

近十幾年來，隨著超快激光技術(shù)的迅速發(fā)展，使得太赫茲波獲得了穩(wěn)定可靠的激發(fā)光源，從而使其憑借著獨特的性質(zhì)在寬帶通信、雷達、天文學、醫(yī)學成像、無損檢測、安全檢查等方面有著廣泛的應用，并帶來了深遠的影響。太赫茲波相比微波擁有更高的頻率，因而在雷達的遠程偵探中具有更高的空間分辨率。同時，太赫茲波光子能量小，不會對物質(zhì)產(chǎn)生破壞作用，與 X 射線相比，在掃描,檢測方面更有優(yōu)勢